屏蔽层在高频下的性能特点如下：
材料导电性主导屏蔽效能
高频信号（>1MHz）下，屏蔽层的导电性成为核心因素。铜等低电阻率材料通过涡流效应产生反向磁场，抵消原电磁波能量，实现高效屏蔽。例如，铜箔或铜带屏蔽采用全封闭覆盖（如螺旋绕包或纵包），高频段屏蔽效率可达99%以上。趋肤效应影响显著
高频电流集中于导体表面（趋肤深度约微米级），屏蔽层厚度需满足3倍趋肤深度以阻断电磁穿透。例如，1GHz信号下铜的趋肤深度约2μm，屏蔽层厚度需≥6μm。结构优化提升高频性能
双层屏蔽设计：内层金属箔抑制内部串扰，外层编织或铠装阻挡外部干扰，组合后在10MHz-1GHz频段屏蔽效能显著提升，可比单层屏蔽提升20-40dB。
接地策略：高频场景需采用双端接地，并通过360°环焊连接屏蔽层与金属连接器，避免信号反射和驻波干扰。单端接地仅适用于低频电场防护，高频下易形成天线效应加剧辐射。
转移阻抗与频率密切相关
转移阻抗（ZT）越低，高频抗干扰能力越强。铜箔屏蔽电缆的ZT值普遍低于铜丝编织电缆，单层铜丝屏蔽适用频率上限约100kHz，而铜箔或双层屏蔽可扩展至6GHz（如射频通信电缆）。材料特性与频率适应性
铜箔/铜带屏蔽：高频段屏蔽效率高，但柔韧性较差，适用于固定安装场景。
铜丝编织屏蔽：柔韧性好，但编织间隙易导致高频信号泄漏，通常适用于低频场景（<1MHz）。在双层屏蔽结构中，内层铜丝编织与外层铜箔叠加可兼顾柔性与高频性能。
PI镀银膜：银层高导电性赋予其优异的反射损耗，在GHz级别高频段屏蔽效能显著。随着频率升高，吸收机制作用增强，屏蔽效能进一步提升。
安装要求严格
最小弯曲半径：需≥6倍电缆直径，过度弯折会破坏屏蔽层连续性，导致高频信号衰减。
外层屏蔽与护套贴合：外层屏蔽与护套紧密贴合（如仿形凹槽设计），可减少高频传输时的电容耦合噪声。
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